|
|
Příprava InAs nanodrátů metodou MBE
Stanislav, Silvestr ; Maniš, Jaroslav (oponent) ; Musálek, Tomáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou InAs nanodrátů na křemíkovém substrátu metodou molekulární svazkové epitaxe. Důraz je kladen na výrobu nanodrátů mechanismem Vapour-Liquid-Solid za použití zlatých katalytických nanočástic. V úvodní části práce jsou popsány mechanismy růstu nanodrátů a metody používané k jejich výrobě. Text dále pojednává o krystalové struktuře InAs a možnostech dopování nanodrátů. V praktické části práce jsou popsány provedené depozice a vliv růstových podmínek na mechanismus růstu nanodrátů a jejich výslednou morfologii.
|
|
|
Charakterizace optických vlastností InAs nanodrátů
Hošková, Michaela ; Ligmajer, Filip (oponent) ; Musálek, Tomáš (vedoucí práce)
Bakalářská práce je zaměřena na přípravu InAs nanodrátů a jejich následnou optickou charakterizaci. K přípravě nanodrátů je využita výhradně fyzikální depozice z plynné fáze pomocí metody selektivní epitaxe v aparatuře MBE. Jsou optimalizovány růstové podmínky pro tvorbu nanodrátů a jejich rozměry jsou charakterizovány rastrovacím elektronovým mikroskopem. S pomocí konfokální spektroskopie a spektroskopie ztrát energie elektronů je měřena optická odezva a studován vliv geometrie jednotlivých nanodrátů. Motivací je vývoj nové optické metody monitorující nanodráty přímo při růstu v aparatuře MBE.
|
|
|
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
The diploma thesis deals with the preparation of nanostructures from indium arsenide (InAs) using the molecular beam epitaxy (MBE) method. Emphasis is placed on the production of structures in the form of nanowires on a silicon substrate. The introductory part of the thesis describes the motivation for the study of III-V semiconductors and specifically InAs. The following chapters explain two basic principles of nanowire formation. The experimental part of the work discusses the possibility of preparing an indium catalyst for self-seeded InAs nanowire growth in a specific MBE apparatus. The following part presents the results of InAs nanowires growth via the selective area epitaxy (SAE) mechanism. The nanowires were fabricated on a substrate with thermally decomposed silicon dioxide and on a substrate with a lithographically prepared silicon dioxide mask.
|
|
|
Charakterizace optických vlastností InAs nanodrátů
Hošková, Michaela ; Ligmajer, Filip (oponent) ; Musálek, Tomáš (vedoucí práce)
Bakalářská práce je zaměřena na přípravu InAs nanodrátů a jejich následnou optickou charakterizaci. K přípravě nanodrátů je využita výhradně fyzikální depozice z plynné fáze pomocí metody selektivní epitaxe v aparatuře MBE. Jsou optimalizovány růstové podmínky pro tvorbu nanodrátů a jejich rozměry jsou charakterizovány rastrovacím elektronovým mikroskopem. S pomocí konfokální spektroskopie a spektroskopie ztrát energie elektronů je měřena optická odezva a studován vliv geometrie jednotlivých nanodrátů. Motivací je vývoj nové optické metody monitorující nanodráty přímo při růstu v aparatuře MBE.
|
|
|
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
The diploma thesis deals with the preparation of nanostructures from indium arsenide (InAs) using the molecular beam epitaxy (MBE) method. Emphasis is placed on the production of structures in the form of nanowires on a silicon substrate. The introductory part of the thesis describes the motivation for the study of III-V semiconductors and specifically InAs. The following chapters explain two basic principles of nanowire formation. The experimental part of the work discusses the possibility of preparing an indium catalyst for self-seeded InAs nanowire growth in a specific MBE apparatus. The following part presents the results of InAs nanowires growth via the selective area epitaxy (SAE) mechanism. The nanowires were fabricated on a substrate with thermally decomposed silicon dioxide and on a substrate with a lithographically prepared silicon dioxide mask.
|
|
|
Příprava InAs nanodrátů metodou MBE
Stanislav, Silvestr ; Maniš, Jaroslav (oponent) ; Musálek, Tomáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou InAs nanodrátů na křemíkovém substrátu metodou molekulární svazkové epitaxe. Důraz je kladen na výrobu nanodrátů mechanismem Vapour-Liquid-Solid za použití zlatých katalytických nanočástic. V úvodní části práce jsou popsány mechanismy růstu nanodrátů a metody používané k jejich výrobě. Text dále pojednává o krystalové struktuře InAs a možnostech dopování nanodrátů. V praktické části práce jsou popsány provedené depozice a vliv růstových podmínek na mechanismus růstu nanodrátů a jejich výslednou morfologii.
|
|
|
Characterisation of InAs/GaAs quantum dots by high resolution transmission electron microscopy
Zíková, Markéta ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Hulicius, Eduard ; Komninou, Ph. ; Kioseoglou, J.
The InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered by GaAsSb strain reducing layer (SRL) have suitable properties for various applications. The GaAsSb SRL covering InAs QDs is used to improve the structure growth and the final parameters like QD density, QD size or photoluminesence. To obtain high-quality structure with required properties, the structure growth and final structure have to be deeply studied. Since the QDs and SRL system is surrounded by GaAs, the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) measurement was used to reveal the real material arrangement in a prepared sample. In this work we will discuss the results of following HRTEM measurements: flatness and thickness of prepared layers, QD size, atomic arrangement and composition of GaAsSb layer.
|
|
|
GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots
Zíková, Markéta ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Oswald, Jiří ; Kubištová, Jana ; Hulicius, Eduard ; Komninou, Ph. ; Kioseoglou, J. ; Nikitis, F.
GaAsSb is often used as a capping material for InAs quantum dots (QDs) due to its suitable conduction band alignment and suppression of In segregation from QDs during the capping process.We have found out that during the GaAsSb layer growth, Sb atoms segregate above InAs QDs, which is proved by the AFM and HRTEM measurements. For higher amount of Sb in GaAsSb, the measured photoluminescence (PL) has longer wavelength, but if it is too high, the structure may become type II with decreased PL intensity. For thick GaAsSb layer, the PL intensity decreases, because only big QDs participate to the PL.
|
|
| |
|
| |
host ::
RSS.